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STP12N120K5
晶体管 > 功率场效应晶体管

STP12N120K5

STMicroelectronics
N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
市场均价:
¥63.5102
市场总库存:
2,543
生命周期状态:
Active
风险等级:
2.26
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
STP12N120K5
STMicroelectronics
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks
风险等级 2.26
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A
最大漏源导通电阻 0.69 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A
子类别 FET General Purpose Powers
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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