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STP6N80K5
晶体管 > 功率场效应晶体管

STP6N80K5

STMicroelectronics
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.8839
市场总库存:
7,167
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.77
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
IHS 制造商 STMICROELECTRONICS
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks
风险等级 1.77
雪崩能效等级(Eas) 85 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (ID) 4.5 A
最大漏源导通电阻 1.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 18 A
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
STMicroelectronics
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