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STP6N80K5
晶体管 > 功率场效应晶体管

STP6N80K5

STMicroelectronics
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥9.9609
市场总库存:
2,736
生命周期状态:
Active
风险等级:
1.59
风险等级:
设计
产品
长期
替代料
FE 功能等同替代料,包含 FFF 形态、装配、功能兼容替代料 (50):
对比 型号 厂商 描述
生命周期
风险等级
对比 STP6N80K5
功率场效应晶体管
当前料
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Active
对比 STB6N80K5
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Active
设计
产品
长期
AD FDP51N25 Fairchild Semiconductor
MOSFET,Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
对比 STI6N80K5
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Active
设计
产品
长期
对比 IRFB3306PBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 IRFB3006PBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 STP5NK60Z
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-channel 600 V, 1.2 Ohm typ., 5 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Active
设计
产品
长期
对比 IRF540ZPBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
Active
设计
产品
长期
对比 SIHP6N40D-GE3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 FK14UM-10
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
14A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 9N70G-TA3-T
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Unisonic Technologies Co Ltd
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 700V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFBC40A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 IXTP7N45
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Littelfuse Inc
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFZ24
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 IRF530N
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 IRF610B
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
3.3A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFZ44-E3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 IRL620A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 SIHF720
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 FDP6035L
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
58A, 30V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Active
设计
产品
长期
对比 IXTP32N20T
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Littelfuse Inc
Power Field-Effect Transistor,
Active
设计
产品
长期
对比 HUF76432P3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Rochester Electronics LLC
59A, 60V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Active
设计
产品
长期
对比 SIHFBC40LC
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Active
设计
产品
长期
对比 2SK3158-E
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power MOSFET 150V 30A 45mohm TO-220AB
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 IRF530A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 ON Semiconductor
Discrete MOSFETs, 1000-TUBE
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 2SK1807-E
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
Nch Single Power MOSFET 900V 4A 4000mohm TO-220AB
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 STP90NF03L
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Not Recommended
设计
产品
长期
对比 IRL610
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 HUFA75337P3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRL3803VPBF
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
Obsolete
设计
产品
长期
对比 NP48N055CHE-AZ
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
NP48N055CHE-AZ
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF510A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK3112
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NEC Electronics Group
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF530
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Thomson Consumer Electronics
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IXTV22N50P
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 IXYS Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF621FI
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 STMicroelectronics
4A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IPP05CN10LG
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 TSM4N80CZC0
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Taiwan Semiconductor
Power Field-Effect Transistor
Obsolete
设计
产品
长期
对比 RFP18N08
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Harris Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Obsolete
设计
产品
长期
对比 BUK9510-100B,127
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NXP Semiconductors
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
Obsolete
设计
产品
长期
对比 FDP12N50F
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 NTP75N03R
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 ON Semiconductor
75A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK2965
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Toshiba America Electronic Components
TRANSISTOR 11 A, 200 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRF624B
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 2SK1400A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Renesas Electronics Corporation
7A, 350V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
Obsolete
设计
产品
长期
对比 IRFS720A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 2SK2462-AZ
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NEC Electronics Group
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
Transferred
设计
产品
长期
对比 FCP170N60
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Transferred
设计
产品
长期
对比 BUK9575-100A
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Philips Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Transferred
设计
产品
长期
对比 HUF75925P3
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Intersil Corporation
11A, 200V, 0.275ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
Transferred
设计
产品
长期
对比 PSMN4R3-30PL
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 NXP Semiconductors
TRANSISTOR 100 A, 30 V, 0.0062 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
Transferred
设计
产品
长期
对比 IRLZ34N
功率场效应晶体管
Pin to Pin
功率场效应晶体管 Philips Semiconductors
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Transferred
设计
产品
长期
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