Tue Mar 09 2021 09:49:07 GMT+0000 (Coordinated Universal Time)

博客
STP6NA60FP
晶体管 > 功率场效应晶体管

STP6NA60FP

STMicroelectronics
3.9A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.88
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
IHS 制造商 STMICROELECTRONICS
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
风险等级 5.88
雪崩能效等级(Eas) 215 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.9 A
最大漏极电流 (ID) 3.9 A
最大漏源导通电阻 1.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 26 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
STMicroelectronics
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消