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STW14NB50
晶体管 > 功率场效应晶体管

STW14NB50

STMicroelectronics
14A, 500V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC, TO-247, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
5.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid STW14NB50
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
零件包装代码 TO-247AC
包装说明 TO-247, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.46
雪崩能效等级(Eas) 900 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A
最大漏极电流 (ID) 14 A
最大漏源导通电阻 0.45 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 52 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
STMicroelectronics
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