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ZXMP10A17E6TA
晶体管 > 功率场效应晶体管

ZXMP10A17E6TA

Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, SOT-23, 6 PIN
市场均价:
¥5.3226
市场总库存:
41,263
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.81
设计
产品
长期
参数规格
数据手册
ZXMP10A17E6TA
Diodes Incorporated
参考设计(1)
Active Clamp Forward Quarter Brick (18 to 60Vdc Input 3.3V/12A) Reference Design
PMP8790: This reference design generates a 3.3V/12A output from a wide 18V-60V telecom input. The UCC2897A controls an active clamp forward converter power stage. The low gate charge and low RDSon of the CSD17501Q5A and CSD18502Q5B, implemented as self-driven synchronous rectifiers, provide for an efficient design. This design is laid out in a standard quarter brick footprint and includes enable, positive rail remote sense, and output trimming features.
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
IHS 制造商 DIODES INC
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks
风险等级 0.81
Samacsys Description MOSFET 100V P-Chanl UMOS
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.6 A
最大漏极电流 (ID) 1.3 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 7.7 A
认证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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