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名称 厂商 描述
TPH3208PS Transphorm Inc.
采用 TO-220 封装的 650V 110mΩ氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
TPH3208PS
Transphorm
采用 TO-220 封装的 650V 110mΩ氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
650V 110mΩ GaN FETs in TO-220.It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
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