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10AS027E4F29E3SG

厂商名称: Intel Corporation

10AS027E4F29E3SG元件分类: 可编程逻辑器件

10AS027E4F29E3SG英文描述:
Field Programmable Gate Array, 270000-Cell, CMOS, PBGA780

10AS027E4F29E3SG相关的参考设计

  • 参数列表
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10AS027E4F29E3SG端子数量 780
10AS027E4F29E3SG加工封装描述 29 X 29 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-780
10AS027E4F29E3SGreach_compliant Yes
10AS027E4F29E3SG欧盟RoHS规范 Yes
10AS027E4F29E3SG状态 Active
10AS027E4F29E3SG可编程逻辑类型 FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
10AS027E4F29E3SGjesd_30_code S-PBGA-B780
10AS027E4F29E3SG输入数 360.0
10AS027E4F29E3SGnumber_of_logic_cells 270000.0
10AS027E4F29E3SG输出数 360.0
10AS027E4F29E3SG包装材料 PLASTIC/EPOXY
10AS027E4F29E3SGpackage_code BGA
10AS027E4F29E3SGpackage_equivalence_code BGA780,28X28,40
10AS027E4F29E3SG包装形状 SQUARE
10AS027E4F29E3SG包装尺寸 GRID ARRAY
10AS027E4F29E3SGpower_supplies 0.9
10AS027E4F29E3SGqualification_status Not Qualified
10AS027E4F29E3SGseated_height_max 3.35  mm
10AS027E4F29E3SGsub_category Field Programmable Gate Arrays
10AS027E4F29E3SG额定供电电压 0.9  V
10AS027E4F29E3SG最小供电电压 0.87  V
10AS027E4F29E3SG最大供电电压 0.93  V
10AS027E4F29E3SG表面贴装 YES
10AS027E4F29E3SG工艺 CMOS
10AS027E4F29E3SG端子形式 BALL
10AS027E4F29E3SG端子间距 1.0  mm
10AS027E4F29E3SG端子位置 BOTTOM
10AS027E4F29E3SGlength 29.0  mm
10AS027E4F29E3SGwidth 29.0  mm

目前在售10AS027E4F29E3SG的授权分销商:

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