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K4B2G1646E-BCK00

厂商名称: Samsung Semiconductor Division

K4B2G1646E-BCK00元件分类: 存储器

K4B2G1646E-BCK00中文描述:
IC,SDRAM,双倍速率同步动态随机存储器,8×16MX16,CMOS,BGA,96PIN,塑料
K4B2G1646E-BCK00英文描述:
IC,SDRAM,DDR,8X16MX16,CMOS,BGA,96PIN,PLASTIC

K4B2G1646E-BCK00相关的参考设计

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K4B2G1646E-BCK00最大时钟频率 800 MHz
K4B2G1646E-BCK00端子数量 96
K4B2G1646E-BCK00最小工作温度 0.0 Cel
K4B2G1646E-BCK00最大工作温度 85 Cel
K4B2G1646E-BCK00额定供电电压 1.5 V
K4B2G1646E-BCK00状态 Active
K4B2G1646E-BCK00sub_category DRAMs
K4B2G1646E-BCK00access_time_max 0.2250 ns
K4B2G1646E-BCK00interleaved_burst_length 8
K4B2G1646E-BCK00i_o_type COMMON
K4B2G1646E-BCK00jesd_30_code R-PBGA-B96
K4B2G1646E-BCK00存储密度 2.15E9 bit
K4B2G1646E-BCK00内存IC类型 DDR DRAM
K4B2G1646E-BCK00位数 1.34E8 words
K4B2G1646E-BCK00位数 128M
K4B2G1646E-BCK00组织 128MX16
K4B2G1646E-BCK00输出特性 3-STATE
K4B2G1646E-BCK00包装材料 PLASTIC/EPOXY
K4B2G1646E-BCK00package_code FBGA
K4B2G1646E-BCK00package_equivalence_code BGA96,9X16,32
K4B2G1646E-BCK00包装形状 RECTANGULAR
K4B2G1646E-BCK00包装尺寸 GRID ARRAY, FINE PITCH
K4B2G1646E-BCK00power_supplies__v_ 1.5
K4B2G1646E-BCK00qualification_status COMMERCIAL
K4B2G1646E-BCK00refresh_cycles 8192
K4B2G1646E-BCK00sequential_burst_length 8
K4B2G1646E-BCK00standby_current_max 0.0100 Amp
K4B2G1646E-BCK00最大供电电压 0.1760 Amp
K4B2G1646E-BCK00表面贴装 YES
K4B2G1646E-BCK00工艺 CMOS
K4B2G1646E-BCK00温度等级 OTHER
K4B2G1646E-BCK00端子形式 BALL
K4B2G1646E-BCK00端子间距 0.8000 mm
K4B2G1646E-BCK00端子位置 BOTTOM

目前在售K4B2G1646E-BCK00的授权分销商:

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