| MX29LV640EBTI-70G功能数量 |
1
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| MX29LV640EBTI-70G端子数量 |
48
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| MX29LV640EBTI-70G最大工作温度 |
85 Cel
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| MX29LV640EBTI-70G最小工作温度 |
-40 Cel
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| MX29LV640EBTI-70G最大供电/工作电压 |
3.6 V
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| MX29LV640EBTI-70G最小供电/工作电压 |
2.7 V
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| MX29LV640EBTI-70G额定供电电压 |
3 V
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| MX29LV640EBTI-70G最大存取时间 |
70 ns
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| MX29LV640EBTI-70G加工封装描述 |
12 × 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-48
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| MX29LV640EBTI-70G状态 |
ACTIVE
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| MX29LV640EBTI-70G包装形状 |
矩形的
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| MX29LV640EBTI-70G包装尺寸 |
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
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| MX29LV640EBTI-70G表面贴装 |
Yes
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| MX29LV640EBTI-70G端子形式 |
GULL WING
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| MX29LV640EBTI-70G端子间距 |
0.5000 mm
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| MX29LV640EBTI-70G端子位置 |
双
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| MX29LV640EBTI-70G包装材料 |
塑料/环氧树脂
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| MX29LV640EBTI-70G温度等级 |
INDUSTRIAL
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| MX29LV640EBTI-70G内存宽度 |
16
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| MX29LV640EBTI-70G组织 |
4M × 16
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| MX29LV640EBTI-70G存储密度 |
6.71E7 deg
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| MX29LV640EBTI-70G操作模式 |
ASYNCHRONOUS
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| MX29LV640EBTI-70G位数 |
4.19E6 words
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| MX29LV640EBTI-70G位数 |
4M
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| MX29LV640EBTI-70G备用存储器宽度 |
8
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| MX29LV640EBTI-70G内存IC类型 |
FLASH 3V 可编程只读存储器
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| MX29LV640EBTI-70G串行并行 |
并行
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