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TP65H050WS

厂商名称: Transphorm

TP65H050WS元件分类: 晶体管

TP65H050WS中文描述:
采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
TP65H050WS英文描述:
650V 50mΩ GaN FET in TO-247.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance and offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.
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  • 参数列表
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TP65H050WSVDS (V) 最小值 650
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TP65H050WSRDS(on)eff(mΩ)最大值* 41
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目前在售TP65H050WS的授权分销商:

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