浏览历史

TPH3212PS

厂商名称: Transphorm

TPH3212PS元件分类: 晶体管

TPH3212PS中文描述:
采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
TPH3212PS英文描述:
650V 72mΩ GaN FET in TO-220.It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
也许您对这个元器件感兴趣: TPH3212PS
采用 TO-220 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
了解详情

TPH3212PS相关的参考设计

  • 参数列表
  • 在这购买
TPH3212PSVDS (V) 最小值 650
TPH3212PSV(TR)DSS (V) 最大值 800
TPH3212PSRDS(on)eff(mΩ)最大值* 85
TPH3212PSQRR (nC) 典型值 90
TPH3212PSQG (nC) 典型值 14

目前在售TPH3212PS的授权分销商:

为您推荐
© 2010 - 2019 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有.

ICP经营许可证 苏B2-20140176  苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号