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” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 1N0205A Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 500V V(RRM),
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对比 1N0203A Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 300V V(RRM),
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AD MB2S Arrow
Rectifier Bridge Diode Single 200V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R
对比 1N0205A International Rectifier
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 500V V(RRM),
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对比 1N0203A International Rectifier
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 300V V(RRM),
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对比 HCHP0603100PPM1911%N0131E2 Vishay Intertechnologies
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 191ohm, 50V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0603,
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对比 HCHP0705100PPM32.4K1%N0131E2 Vishay Intertechnologies
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 32400ohm, 150V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0805,
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对比 HCHP0705100PPM806K1%N0131E2 Vishay Intertechnologies
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 806000ohm, 150V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0805,
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对比 MJHS-02L4-21N-018-5J51 Airborn Inc
Cable Assembly,
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对比 MJHS-03R2-31N-018-5J33 Airborn Inc
Cable Assembly,
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对比 IPA041N04N Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;70A;40V;TO-220F
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对比 IPB031N08N5 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;120A;80V;D²PAK/TO-263
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对比 IPS031N03L Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;90A;30V;IPAK/TO-251
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对比 IPB041N04N Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;80A;40V;D²PAK/TO-263
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对比 IPD031N06L3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;100A;60V;DPAK/TO-252
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对比 IPP041N04N Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;80A;40V;TO-220
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对比 PJD11N06A-AU PanJit Semiconductor
Product Status:Active, AEC-Q101 Qualified:Y, Polarity:N, Config.(V):Single, VDS(±V):60, VGS(A):20, ID(10V):11, RDS(on) Max. (mΩ)(7V):75, RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V):90
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对比 IPB081N06L3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;50A;60V;D²PAK/TO-263
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对比 IPD031N03L Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;90A;30V;DPAK/TO-252
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对比 IPB021N06N3G Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;120A;60V;TO-263
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对比 PJD11N06A PanJit Semiconductor
Product Status:Active, Polarity:N, Config.(V):Single, VDS(±V):60, VGS(A):20, ID(10V):11, RDS(on) Max. (mΩ)(7V):75, RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V):90, Ciss Typ.(V):509
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