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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 2N1975 Semiconductors Inc
Small Signal Bipolar Transistor, NPN,
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对比 2N1482 Solid State Devices Inc (SSDI)
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 PIN
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AD BLA1011-2,112 Ampleon
射频功率场效应晶体管,BLA1011-2, Avionics LDMOS transistor, SOT538 (CDIP2)
对比 2N10W-05 Cobham PLC
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
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对比 2N10W-20 Cobham PLC
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE
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对比 2N1479 Harris Semiconductor
Transistor
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对比 2N1529 GPD Optoelectronics Corp
Transistor
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对比 2N1154 Solid State Devices Inc (SSDI)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-22, TO-22, 3 PIN
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对比 2N1900 Semitronics Corp
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, NPN, Silicon, MT-38
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对比 2N1937 Semitronics Corp
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN
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对比 2N1535A New Jersey Semiconductor Products Inc.
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5
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对比 BL02N18-6L Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, N, 2W, 180W, ±20V
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对比 2N1702 Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;NPN;6A;40V;TO-3
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对比 AOD2N100 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;2A;1000V;TO-252
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对比 IPB042N10N3G Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;137A;100V;D²PAK/TO-263
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对比 IPB072N15N3G Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;100A;150V;D²PAK/TO-263
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对比 IRFB52N15D Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;60A;150V;TO-220
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对比 IPP072N10N3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;80A;100V;TO-220
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对比 TK32A12N1 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;60A;120V;TO-220F
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对比 TK32E12N1 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;60A;120V;TO-220
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对比 TK42A12N1 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;88A;120V;TO-220F
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