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对比 2N2222A North American Philips Discrete Products Div
Transistor,
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对比 2N2485 General Diode Corp
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AD ipp040n06n3gxksa1 Arrow
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
对比 2N2816 Microsemi FPGA & SoC
Transistor
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对比 2N2757 API Technologies Corp
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,
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对比 2N2581 Solid Power Corp
Transistor
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对比 2N2841 Solitron Devices Inc
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18,
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对比 2N2905ALJSF Semicoa Semiconductors
Small Signal Bipolar Transistor,
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对比 2N2328A Solid State Inc
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
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对比 2N2328AS MACOM
Silicon Controlled Rectifier,
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对比 2N2194A.MODR1 TT Electronics Resistors
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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对比 SJK-2N25000M3C0450E9 晶科鑫
SMD2520 4PIN OSC 25.000MHZ 3.3V CMOS
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对比 SJK-2N24000M3C0430E9 晶科鑫
SMD2520 4PIN OSC 24.000MHZ 3.3V CMOS
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对比 IXFP72N20X3M Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;72A;200V;TO-220F
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对比 BL2N20D Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, N, 4.3W, 200W, ±20V
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对比 BL02N20-3L Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, N, 3W, 190W, ±20V
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对比 IRFB42N20D Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;30A;200V;TO-220
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对比 12N20 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;12A;200V;TO-220
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对比 2N2222 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 30V, 0.6A, 250MHZ, -55-150℃
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对比 MTW32N20E Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;32A;200V;TO-247
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对比 2N2955 Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;PNP;-15A;-60V;TO-3
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