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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 2N2857UBJS Semicoa Semiconductors
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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对比 2N2907D Diodes Incorporated
TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,CHIP / DIE
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AD IPP045N10N3G Infineon Technologies
功率场效应晶体管,Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
对比 2N2983 General Diode Corp
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), NPN
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对比 2N2475 Advanced Semiconductor Inc
Transistor
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对比 2N2605 CRYSTALONICS Inc
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AB, CASE 26-03, TO-46, 3 PIN
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对比 2N2222ACECC-B TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
2N2222ACECC-B, TO18-3
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对比 2N2369-JQR-A TT Electronics Resistors
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN
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对比 2N2994 Texas Instruments
1A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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对比 2N2920 TT Electronics Resistors
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-77, TO-77, 8 PIN
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对比 2N2329E3 Microsemi FPGA & SoC
Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN
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对比 2N2903A Semicoa Semiconductors
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), NPN
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对比 2N2222AVS-# Microsemi FPGA & SoC
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PACKAGE-3
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对比 BL02N20-3L Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, N, 3W, 190W, ±20V
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对比 IRFB42N20D Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;30A;200V;TO-220
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对比 12N20 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;12A;200V;TO-220
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对比 IXFP72N20X3M Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;72A;200V;TO-220F
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对比 BL2N20D Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, N, 4.3W, 200W, ±20V
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对比 MTW32N20E Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;32A;200V;TO-247
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对比 2N2955 Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;PNP;-15A;-60V;TO-3
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对比 2N2222 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 30V, 0.6A, 250MHZ, -55-150℃
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