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2N7002

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 2N7002 Bytesonic Corporation
Transistor
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对比 2N7002 KEC
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
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AD FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies
IGBT模块,FZ1800R12 - IGBT Module
对比 2N7002 STMicroelectronics
200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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对比 2N7002 Samsung Semiconductor
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
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对比 2N7002 Silicon Standard Corp
Transistor,
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对比 2N7002 InterFET Corporation
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236,
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对比 2N7002 National Semiconductor Corporation
TRANSISTOR 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal
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对比 2N7002 Calogic Inc
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 2N7002 Motorola Semiconductor Products
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AA,
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对比 2N7002 PanJit Semiconductor
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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对比 2N7002HW Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, Y, 0.25W, 60W, ±20V
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对比 2N7002HV Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, Y, 0.25W, 60W, ±20V
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对比 2N7002HT Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, Y, 0.15W, 60W, ±20V
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对比 2N7002VT Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, Y, 0.15W, 60W, ±30V
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对比 2N7002W 广东奥科
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对比 2N7002T 广东奥科
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对比 AKZ2N7002 广东奥科
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对比 AK2N7002K 广东奥科
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对比 2N7002K 广东奥科
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对比 2N7002K-AU PanJit Semiconductor
Product Status:Active, AEC-Q101 Qualified:Y, ESD:Y, Polarity:N, Config.(V):Single, VDS(±V):60, VGS(A):20, ID(10V):0.3, RDS(on) Max. (mΩ)(7V):3000
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