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ADR

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 ADR5041WBRTZ-R7 Analog Devices Inc
Precision Micropower Shunt Mode Voltage Reference Applications (2.5 Vout)
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对比 ADR1581BRTZ-REEL7 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 1.25 V, PDSO3, ROHS COMPLIANT, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN
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AD adp7183acpzn0.5-r7 Arrow
LDO Regulator Neg -0.5V -0.3A Medical 8-Pin LFCSP EP T/R
对比 ADR293GBC Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5 V, UUC4, Voltage Reference
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对比 ADR510ARTZ-R2 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 1 V, PDSO3, ROHS COMPLIANT, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN
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对比 ADR03BKS-R2 Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.5 V, PDSO5, MO-203-AA, SC-70, 5 PIN, Voltage Reference
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对比 ADRF6821ACPZ-RL7 Analog Devices Inc
450 MHz to 2800 MHz, DPD RFIC with Integrated Fractional-N PLL and VCO
获取价格 ¥261.9047
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对比 ADRMF370 Trompeter
RF Connector Adapter, TWNX-TWNX, Male-Female
获取价格 ¥1191.6904
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对比 ADR390ART-REEL Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.048 V, PDSO5, SOT-23, 5 PIN, Voltage Reference
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对比 ADR01AR-REEL7 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 10V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
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对比 ADRF6821ACPZ Analog Devices Inc
450 MHz to 2800 MHz, DPD RFIC with Integrated Fractional-N PLL and VCO
获取价格 ¥296.2437
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对比 ADR540AKS-REEL7 Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 4.096 V, PDSO3, SC-70, 3 PIN, Voltage Reference
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对比 ADR06BKS-R2 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 3 V, PDSO5, MO-203-AA, SC-70, 5 PIN
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对比 ADR03AKS-R Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.5 V, PDSO5, MO-203AA, SC-70, 5 PIN, Voltage Reference
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对比 CW24C128ADR 武汉芯源(CW)
128Kbit(16384 x 8)串行I2C总线EEPROM, 1.7V-5.5V, SOP-8, 1M, 128Kbit
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对比 CWS65R290ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 650V/Min
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对比 CWS70R430ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 700V/Min
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对比 CWS5N65ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, DPAK-3, 650V/Min
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对比 CWS5N70ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 700V/Min
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对比 CWS7N65ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 650V/Min
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对比 CWS55R580ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 550V/Min
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