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ADR

” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 ADR125BUJZ-REEL7 Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5 V, PDSO6, ROHS COMPLIANT, MO-193AA, TSOT-6, Voltage Reference
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对比 ADR293FR Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5 V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8, Voltage Reference
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AD ADR420ARZ Analog Devices
电压基准,ADR420 - UltraPrecision, Low Noise, 2.048V XFET Voltage Reference
对比 ADR2 Thomas & Betts
Wire Terminal
获取价格 ¥50.7983
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对比 ADR01BKS-R2 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 10V, PDSO5, MO-203-AA, SC-70, 5 PIN
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对比 ADR291GR-REEL Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.5 V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
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对比 ADRZ423BRZ Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 3 V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8, Voltage Reference
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对比 ADR425AR-REEL7 Analog Devices Inc
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
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对比 ADR02AUJ-R2 Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5 V, PDSO5, MO-193-AB, TSOT-23, 5 PIN, Voltage Reference
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对比 ADR433BR Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 3 V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8
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对比 ADR293FR-REEL Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5 V, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8, Voltage Reference
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对比 ADR540BRTZ-REEL7 Analog Devices Inc
IC 1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 4.096 V, PDSO3, ROHS COMPLIANT, TO-236AB, SOT-23, 3 PIN, Voltage Reference
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对比 ADR512ART-R2 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 1.2V, PDSO3, SOT-23, 3 PIN
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对比 ADR425ARZ-REEL7 Rochester Electronics LLC
1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 5 V, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8
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对比 CW24C128ADR 武汉芯源(CW)
128Kbit(16384 x 8)串行I2C总线EEPROM, 1.7V-5.5V, SOP-8, 1M, 128Kbit
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对比 CWS65R290ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 650V/Min
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对比 CWS70R430ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 700V/Min
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对比 CWS5N65ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, DPAK-3, 650V/Min
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对比 CWS5N70ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 700V/Min
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对比 CWS7N65ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 650V/Min
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对比 CWS55R580ADR 武汉芯源(CW)
N沟道基于超级结技术的功率MOSFET, TO-252-2L, 550V/Min
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