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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 BCP-5/15-3.3/15-D24-C C&D Technologies Inc
Analog Circuit,
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对比 BCP51TA Diodes Incorporated
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
获取价格 ¥1.2462
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AD NS5S1153MUTAG Onsemi
模拟开关,NS5S1153 - DPDT, 2 Channel
对比 BCP54-16,135 NXP Semiconductors
45 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin
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对比 BCPA1666-C Secos Corporation
Small Signal Bipolar Transistor
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对比 BCP53 Motorola Mobility LLC
1.5A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA, PLASTIC, CASE 318E-04, 4 PIN
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对比 BCP51 Philips Semiconductors
Transistor
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对比 BCP51-10-TP-HF Micro Commercial Components
Power Bipolar Transistor,
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对比 BCP52E6327 Siemens
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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对比 BCP-5/15-3.3/15-D48L1-T Murata Power Solutions
DC-DC Regulated Power Supply Module, ROHS COMPLIANT, HALF BRICK PACKAGE-10
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对比 BCP53-10 Nexperia
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
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对比 BCP53-10-TP-HF Micro Commercial Components
Power Bipolar Transistor,
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对比 BCP54-16 NXP Semiconductors
TRANSISTOR 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpose Power
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对比 BCP53 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 100V, 1A, 100MHZ, -65-150℃
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对比 BCP55 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 60V, 1A, 100MHZ, -65-150℃
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对比 BCP56 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 100V, 1A, 100MHZ, -65-150℃
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对比 BCP54 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 45V, 1A, 100MHZ, -65-150℃
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对比 BCP51 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 45V, 1A, 100MHZ, -65-150℃
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对比 BCP52 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 60V, 1A, 100MHZ, -65-150℃
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对比 BCP53-16-AU PanJit Semiconductor
Product Status:Active, AEC-Q101 Qualified:Y, Polarity:PNP, Config.(V):Single, VCBO Max.(V):-120, VCEO Max.(mA):-100, IC Max.(V):-1000, VCE(sat) Max.(IC (mA)):-0.6, VCE(sat) Max.(IB (mA)):-1000
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对比 BCP56-16-AU PanJit Semiconductor
Product Status:Active, AEC-Q101 Qualified:Y, Polarity:NPN, Config.(V):Single, VCBO Max.(V):120, VCEO Max.(mA):100, IC Max.(V):1000, VCE(sat) Max.(IC (mA)):0.5, VCE(sat) Max.(IB (mA)):1000
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