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对比 BCW89TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Small Signal Bipolar Transistor,
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对比 BCW67C Diodes Incorporated
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
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AD BFP740E6327 Infineon Technologies
射频小信号双极晶体管,RF Small Signal Bipolar Transistor, X Band Germanium, NPN
对比 BCW60D-GS18 Vishay Intertechnologies
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
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对比 BCW60A National Semiconductor Corporation
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-236AA
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对比 BCW68 Texas Instruments
BCW68
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对比 BCW89D87Z Texas Instruments
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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对比 BCW61B Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 32V, 0.2A, 100MHZ, -55-150℃
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对比 BCW61C Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 32V, 0.1A, 100MHZ, -55-150℃
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对比 BCW66H Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 45V, 0.8A, 170MHZ, -55-150℃
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对比 BCW68 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 45V, 0.8A, 100MHZ, -55-150℃
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32V,0.8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 32V, 0.8A, 100, 250, 1V
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对比 BCW68F Galaxy Microelectronics
45V,0.8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 45V, 0.8A, 100, 250, 1V
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对比 BCW67B Galaxy Microelectronics
32V,0.8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 32V, 0.8A, 160, 400, 1V
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对比 BCW67C Galaxy Microelectronics
32V,0.8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 32V, 0.8A, 250, 630, 1V
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对比 BCW68G Galaxy Microelectronics
45V,0.8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 45V, 0.8A, 160, 400, 1V
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对比 BCW30 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 32V, 0.5A, -55-150℃
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对比 BCW60C Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 32V, 0.1A, 100MHZ, -55-150℃
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对比 BCW71 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 45V, 0.1A, 100MHZ, -55-150℃
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对比 BCW72 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 45V, 0.1A, 100MHZ, -55-150℃
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