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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 BZW04-40A1 Taiwan Semiconductor
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 40.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
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对比 BZW06-26B-51 Vishay Intertechnologies
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, F126, 2 PIN
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AD IR21531DPBF Infineon Technologies
MOSFET驱动器,Half Bridge Based MOSFET Driver, CMOS, PDIP8
对比 BZW04-14B/70 Vishay Intertechnologies
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 13.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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对比 BZW04P20/91 Vishay Intertechnologies
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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对比 BZW04P20B/71 Vishay Intertechnologies
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 20.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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对比 BZW04-28/66 Vishay Intertechnologies
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 28.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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对比 BZW04-342/56 Vishay Intertechnologies
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 342V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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对比 BZW04-273-E3/54 Vishay Intertechnologies
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 273V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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对比 BZW06-5V8HE3TR Fagor Electrónica
Transient Suppressor,
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对比 BZW04-78BA1 Taiwan Semiconductor
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 78V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
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对比 BZW04-14 Galaxy Microelectronics
13.6V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 13.6V, 15.2V, 16.8V, 1uA
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对比 BZW04P9V4 Galaxy Microelectronics
9.4V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 9.4V, 10.5V, 12.1V, 5uA
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对比 BZW04P5V8 Galaxy Microelectronics
5.8V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 5.8V, 6.45V, 7.48V, 1000uA
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对比 BZW04-6V4 Galaxy Microelectronics
6.4V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 6.4V, 7.13V, 7.88V, 500uA
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对比 BZW04-15 Galaxy Microelectronics
15.3V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 15.3V, 17.1V, 18.9V, 1uA
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对比 BZW04-20 Galaxy Microelectronics
20.5V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 20.5V, 22.8V, 25.2V, 1uA
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对比 BZW04P26 Galaxy Microelectronics
25.6V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 25.6V, 28.5V, 33V, 1uA
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对比 BZW04-31 Galaxy Microelectronics
30.8V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 30.8V, 34.2V, 37.8V, 1uA
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对比 BZW04P44 Galaxy Microelectronics
43.6V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 43.6V, 48.5V, 56.1V, 1uA
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对比 BZW04P48 Galaxy Microelectronics
47.8V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 47.8V, 53.2V, 61.6V, 1uA
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