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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 FQD13N06LTF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD30N06LTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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AD FQD5N15TM Fairchild Semiconductor
功率场效应晶体管,Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
对比 FQD5N30TF Rochester Electronics LLC
4.4A, 300V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N40CTM-F101 Fairchild Semiconductor Corporation
Transistor
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对比 FQD1N60TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD2N60CTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD3N60CTF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD3N60 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N40CTM ON Semiconductor
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 400 V, 4.5 A, 1.0 Ω, DPAK, 2500-REEL
获取价格 ¥5.1722
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对比 FQD1N50 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD5N60CTF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD18N20V2TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD5N60C Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD3P50TM_F085 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD7N20LTM ON Semiconductor
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 200 V, 5.5 A, 750 mΩ, DPAK, 2500-REEL
获取价格 ¥4.0085
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对比 FQD9N25TM_F085 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD6N25TM Rochester Electronics LLC
4.4A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD13N10 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;10A;100V;DPAK/TO-252
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对比 FQD50P06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-50A;-60V;TO-220
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对比 FQD50N06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;50A;60V;TO-252
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