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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 FQD7P06TF_NL Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD24N08 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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AD FQD5N15TM Fairchild Semiconductor
功率场效应晶体管,Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
对比 FQD2N60CTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD4N20TM ON Semiconductor
N-Channel QFET® MOSFET 200V, 3A, 1.4Ω, 2500-REEL
获取价格 ¥5.1544
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对比 FQD4P25TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD4N25TM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N40CTM-F101 Fairchild Semiconductor Corporation
Transistor
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对比 FQD17N08LTF Rochester Electronics LLC
12.9A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7N10LTF Rochester Electronics LLC
5.8A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD11P06 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD1N60 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD4N20LTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD2N80TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7P06TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD18N20V2TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD2P25TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N60CTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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对比 FQD13N10 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;10A;100V;DPAK/TO-252
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对比 FQD50P06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-50A;-60V;TO-220
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对比 FQD50N06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;50A;60V;TO-252
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