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FQD

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 FQD6N60CTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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对比 FQD5N20LTM ON Semiconductor
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 200 V, 3.8 A, 1.2 Ω, DPAK, 2500-REEL
获取价格 ¥5.2931
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AD BLA1011-2,112 Ampleon
射频功率场效应晶体管,BLA1011-2, Avionics LDMOS transistor, SOT538 (CDIP2)
对比 FQD18N20V2TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD4P25TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD2P25TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N60CTM-WS Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 FQD3N60 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7N10L Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N50CTF Rochester Electronics LLC
4.5A, 500V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD2N80TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD3P50 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD1N60 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD10N20CTM Rochester Electronics LLC
7.8A, 200V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD9N25TM_F085 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD2N50TM Rochester Electronics LLC
1.6A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7P06TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7P20 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-5.7A;-200V;DPAK/TO-252
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对比 FQD50P06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-50A;-60V;TO-220
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对比 FQD50N06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;50A;60V;TO-252
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对比 FQD13N10 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;10A;100V;DPAK/TO-252
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