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FQD

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 FQD24N08 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 19.6A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD1N80TM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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AD BLA0912-250 Ampleon
射频/微波组件,BLA0912-250 - N-Channel LDMOS Avionics LDMOS Transistor
对比 FQD4N25TM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD11P06 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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ECAD
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对比 FQD3P20TF Rochester Electronics LLC
2.4A, 200V, 2.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7N10LTF Rochester Electronics LLC
5.8A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD10N20LTF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD5N20LTF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD17N08LTF Rochester Electronics LLC
12.9A, 80V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7P06TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N25TM Rochester Electronics LLC
4.4A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD7P06TF_NL Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3
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对比 FQD8P10TF Rochester Electronics LLC
6.6A, 100V, 0.53ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD13N06TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD9N15TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD5N60C Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD7P20 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-5.7A;-200V;DPAK/TO-252
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对比 FQD50P06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-50A;-60V;TO-220
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对比 FQD50N06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;50A;60V;TO-252
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对比 FQD13N10 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;10A;100V;DPAK/TO-252
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