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FQD

” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 FQD3N40TF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N40CTF Rochester Electronics LLC
4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
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AD AUIRFB8409 Infineon Technologies
MOSFET/FET,AUIRFB8409 - 20V-40V N-Channel Automotive MOSFET
对比 FQD13N06LTF Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD6N25TM Rochester Electronics LLC
4.4A, 250V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD2N60CTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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对比 FQD3N50CTM-SN00124 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 FQD6N50C ON Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 FQD2N50 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD8P10 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD2N60C ON Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
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对比 FQD5N50TM Rochester Electronics LLC
3.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD4N25TM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD16N15 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 11.8A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD3P50 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD3N60 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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对比 FQD1N80TM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
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ECAD
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对比 FQD7P20 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-5.7A;-200V;DPAK/TO-252
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对比 FQD50P06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;-50A;-60V;TO-220
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对比 FQD50N06 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;50A;60V;TO-252
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对比 FQD13N10 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;10A;100V;DPAK/TO-252
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