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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 HUFA76439S3ST Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
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对比 HUFA75343P3 Rochester Electronics LLC
75A, 55V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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AD IPP045N10N3G Infineon Technologies
功率场效应晶体管,Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
对比 HUFA76639S3ST Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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对比 HUFA76419S3ST Rochester Electronics LLC
29A, 60V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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对比 HUFA75623S3ST Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
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对比 HUFA75842S3ST Renesas Electronics Corporation
43A, 150V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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对比 HUFA76429D3ST_F085 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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对比 HUFA75623S3S Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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对比 HUFA75343S3ST Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
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对比 HUFA75307T3ST ON Semiconductor
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 2.6A, 90mΩ, 4000-REEL
获取价格 ¥1.4888
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对比 HUFA7510P3 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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对比 HUFA75343S3S Rochester Electronics LLC
75A, 55V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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对比 HUFA76413DK8T_F085A Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.049ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
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对比 HUFA76439P3 Renesas Electronics Corporation
75A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 HUFA76413DK8T Fairchild Semiconductor Corporation
Automotive MOSFET, 8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY, DUAL DAP, 2500/TAPE REEL
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对比 HUFA75545P3 Renesas Electronics Corporation
75A, 80V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 HUFA75639S3R4851 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 115V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA,
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对比 HUFA76633P3 Renesas Electronics Corporation
39A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 HUFA75339G3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;75A;55V;TO-247
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对比 HUFA75545P3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;75A;80V;TO-220
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