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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 HUFA75433S3ST Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
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对比 HUFA76413DK8T_F085A Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.049ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
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AD FQU20N06LTU Fairchild Semiconductor
功率场效应晶体管,Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
对比 HUFA76407D3 Rochester Electronics LLC
12A, 60V, 0.092ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
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对比 HUFA76423D3 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
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对比 HUFA75307T3ST ON Semiconductor
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 2.6A, 90mΩ, 4000-REEL
获取价格 ¥1.6311
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对比 HUFA75623S3S Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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对比 HUFA75623S3ST Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,
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对比 HUFA76407DK8T Fairchild Semiconductor Corporation
Automotive N-Channel MOSFETS, 8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY, DUAL DAP, 2500/TAPE REEL
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对比 HUFA76419D3S Renesas Electronics Corporation
20A, 60V, 0.043ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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对比 HUFA76407DK8T-F085 ON Semiconductor
60V, 3.8A,75mΩ, SO-8, Logic Level Dual N-Channel UltraFET®, SO 8L NB, 2500-REEL
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对比 HUFA75321D3ST Rochester Electronics LLC
20A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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对比 HUFA76439P3 Renesas Electronics Corporation
75A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 HUFA75639S3ST-N2457 Fairchild Semiconductor Corporation
Transistor
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对比 HUFA75829D3ST Renesas Electronics Corporation
18A, 150V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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对比 HUFA75639S3R4851 Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 115V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA,
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对比 HUFA76633P3 Renesas Electronics Corporation
39A, 100V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 HUFA75829D3S Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,
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对比 HUFA75631S3ST Renesas Electronics Corporation
33A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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对比 HUFA75339G3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;75A;55V;TO-247
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对比 HUFA75545P3 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;75A;80V;TO-220
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