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对比 IRFW720B Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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AD IRF7811AVTRPBF Infineon Technologies
小信号场效应晶体管,Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
对比 IRFW614B Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW640BTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFW630A Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW634B Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW840B Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
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对比 IRFW640B Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW644A Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW610A Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW740BTM_NL Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
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对比 IRFW624B Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFW530ATM_NL Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRFW710BTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
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对比 IRFW650BTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFW634BTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFW840BTM_NL Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3
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对比 IRFW624BTM Fairchild Semiconductor Corporation
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRFW840A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRFWZ44 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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