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SA2

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 SA2 Rectron Semiconductor
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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对比 SA257G Sino-American Silicon Products Inc
Rectifier Diode, 1 Element, 2.5A, 1000V V(RRM),
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AD BAS70-06,215 Nexperia
肖特基二极管,General Purpose Schottkey Diode, High-Speed Switching, If=70mA, SMD package
对比 SA254270F56NAR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 27MHz Nom,
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对比 SA25424GF26NJR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 24.545454MHz Nom,
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对比 SA254480FX3IDR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 48MHz Nom,
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对比 SA254520F15MFR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 52MHz Nom,
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对比 SA254520F16PVR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 52MHz Nom,
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对比 SA254196F16GDR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.68MHz Nom,
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对比 SA25419BFX5GKR CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.6608MHz Nom,
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对比 SA25425AF15NER CTS Corporation
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 25.000625MHz Nom,
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对比 2SA2119K Galaxy Microelectronics
12V,0.5A,Medium Power PNP Bipolar Transistor, Diodes, PNP, 12V, 0.5A, 270, 680, 2V
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对比 2SA2039 Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;PNP;-5A;-50V;TO-251
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对比 2SA2097 Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;PNP;-7A;-50V;DPAK/TO-252
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对比 SA20 Galaxy Microelectronics
20V,500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 500W, 20V, 22.2V, 27.1V, 1uA
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对比 SA26A Galaxy Microelectronics
26V,500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 500W, 26V, 28.9V, 31.9V, 1uA
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对比 SA28 Galaxy Microelectronics
28V,500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 500W, 28V, 31.1V, 38V, 1uA
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对比 SA20 Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 500W, 22.2V, 27.1V, 20V, 5uA, 13.97A, 35.8V
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对比 SA20CA Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 500W, 22.2V, 24.5V, 20V, 5uA, 15.43A, 32.4V
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对比 SA28 Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 500W, 31.1V, 38V, 28V, 5uA, 10A, 50V
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对比 2SA2151A Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;PNP;-15A;-230V;TO-3PN
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