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SI1

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 SI1 Semicon Components Inc
Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM),
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对比 SI1002R-T1-GE3 Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-75A, 3 PIN
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AD FS50KMJ-06F#B00 Renesas
MOSFET/FET,FS50KMJ - Discrete / Power MOSFET
对比 SI1077X-T1-GE3 Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-89, 6 PIN
获取价格 ¥3.4543
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对比 SI106-680K Delta Electronics Inc
General Purpose Inductor, 68uH, 10%, 1 Element, SMD, ROHS COMPLIANT
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对比 SI1071X-T1-E3 Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00096A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SC-89, 6 PIN
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对比 SI12210022035 Leclanche Capacitors
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID
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对比 SI1450DH-T1-GE3 Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor,
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对比 SI1142-A10-GM Silicon Laboratories Inc
Photoelectric Sensor, Square, Surface Mount, 2 X 2 MM, QFN-10
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对比 SI12DM-1.544MHZ Cal Crystal Lab Inc / Comclok Inc
CMOS Output Clock Oscillator, 1.544MHz Nom, MINIATURE, HERMETIC SEALED, SMD, 4 PIN
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对比 SI10140022025 Leclanche Capacitors
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID
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对比 LSI1012XT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.5, VGSth Min (V):0.45, VGSth Max (V):0.9
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对比 LSI1013LT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.35, VGSth Min (V):0.45, td(on) (ns):5
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对比 LSI1012X6T3BG LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS (V):8, ID (A):0.6, VGS(th) (V) Min (V):0.4, VGS(th) (V) Max (V):1
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对比 LSI1013N3T5G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS (V):6, ID (A):0.35, VGS(th) (V) Min (V):0.45, td(on) (ns):5
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对比 NSI1312S-DSWVR 纳芯微(NovoSense)
6.5 , 6.5 , 5000 , ±1.2V , 100 , 5
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对比 LSI1012LT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.5, VGSth Min (V):0.45, VGSth Max (V):0.9
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对比 LSI1013XT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.35, VGSth Min (V):0.45, td(on) (ns):5
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对比 LSI1012N3T5G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS (V):6, ID (A):0.5, VGS(th) (V) Min (V):0.45, VGS(th) (V) Max (V):0.9
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对比 NSI1312S-DSPR 纳芯微(NovoSense)
6.5 , 6.5 , 3000 , ±1.2V , 100 , 5
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对比 NSI1312D-DSWVR 纳芯微(NovoSense)
6.5 , 6.5 , 5000 , ±1.2V , 100 , 5
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