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SI1

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 SI1 Semicon Components Inc
Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM),
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对比 SI11ZM-1.544MHZ Transko Electronics Inc
CMOS Output Clock Oscillator, 1.544MHz Nom, MINIATURE, HERMETIC SEALED, SMD, 4 PIN
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AD 1n4007rlg Arrow
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
对比 SI1307DL-T1 Vishay Intertechnologies
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 3 PIN
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对比 SI1307DL-T1-GE3 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
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对比 SI106-181 Delta Electronics Inc
General Purpose Inductor,
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对比 SI11BM-FREQ Transko Electronics Inc
CMOS Output Clock Oscillator, 1.544MHz Min, 125MHz Max, MINIATURE, HERMETIC SEALED, SMD, 4 PIN
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对比 SI12ZL-1.544MHZ Cal Crystal Lab Inc / Comclok Inc
CMOS Output Clock Oscillator, 1.544MHz Nom, MINIATURE, HERMETIC SEALED, SMD, 4 PIN
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对比 SI106-180 Delta Electronics Inc
General Purpose Inductor,
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对比 SI1035X Vishay Intertechnologies
Transistor,
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对比 SI1307DL-E3 Vishay Intertechnologies
TRANSISTOR 850 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
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对比 LSI1012XT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.5, VGSth Min (V):0.45, VGSth Max (V):0.9
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对比 LSI1013LT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.35, VGSth Min (V):0.45, td(on) (ns):5
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对比 LSI1012X6T3BG LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS (V):8, ID (A):0.6, VGS(th) (V) Min (V):0.4, VGS(th) (V) Max (V):1
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对比 LSI1013N3T5G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS (V):6, ID (A):0.35, VGS(th) (V) Min (V):0.45, td(on) (ns):5
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对比 NSI1312S-DSWVR 纳芯微(NovoSense)
6.5 , 6.5 , 5000 , ±1.2V , 100 , 5
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对比 LSI1012LT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.5, VGSth Min (V):0.45, VGSth Max (V):0.9
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对比 LSI1013XT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS(V):6, ID (A):0.35, VGSth Min (V):0.45, td(on) (ns):5
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对比 LSI1012N3T5G LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):20, VGS (V):6, ID (A):0.5, VGS(th) (V) Min (V):0.45, VGS(th) (V) Max (V):0.9
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对比 NSI1312S-DSPR 纳芯微(NovoSense)
6.5 , 6.5 , 3000 , ±1.2V , 100 , 5
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对比 NSI1312D-DSWVR 纳芯微(NovoSense)
6.5 , 6.5 , 5000 , ±1.2V , 100 , 5
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