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TD1

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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 TD18012200J0G Amphenol FCi
Barrier Strip Terminal Block
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对比 TD180F11KEL-A Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element
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AD 3-520133-2 Arrow
Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue RCP 16.05mm Tin Carton/Loose
对比 TD14-12028S1-52.000-HZ-R Aker Technology Company Ltd
Oscillator
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对比 TD111F06KDL Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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对比 TD100-300-05I Natel Engineering Company
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 100W, Hybrid
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对比 TD1001YT1 Vishay Intertechnologies
Power Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1.5ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 TD111F06KEL-A Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element,
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对比 TD180F10KSB-A Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,
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对比 TD162N14KOF Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 162000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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对比 TD111F04KDC Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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对比 SBTD10300S Galaxy Microelectronics
10A,300V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Single, 300V, 10A, 0.92V, 10A, 180A
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对比 KTD1898 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 80V, 1A, 100MHZ, -55-150℃
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对比 SBTD10300 Galaxy Microelectronics
10A,300V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Single, 300V, 10A, 0.92V, 10A, 180A
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对比 KTD1304 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 20V, 0.3A, 60MHZ, -55-150℃
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对比 STD140N6F7 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;80A;60V;DPAK
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对比 STD18N55M5 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;16A;550V;DPAK/TO-252
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对比 KTD1414 Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;NPN;4A;80V;TO-220F
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对比 LDTD123TLT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:E1, IC (mA):500, VCEO (V):40, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC Max:600
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对比 LDTD123EWT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:E5, IC (mA):500, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:39, hFE @ IC (mA):50
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对比 LDTD114ELT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:CA, IC (mA):500, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC Max:600
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