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对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 TD1105020KC71 Vishay Roederstein
CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 20V, 1uF, SURFACE MOUNT, 1707, CHIP
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对比 TD180F12KSL-K Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 350A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
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AD STPTIC-82G2C4 Arrow
Cap Tunable Integrated Capacitor 8.2pF Solder Ball SMD WLCSP 85°C T/R
对比 TD101F08KFB-K Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,
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对比 TD101F08KEM-K Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,
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对比 TD111F02KEM Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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对比 TD101F12KEC Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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对比 TD101F12KFM-K Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
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对比 TD1-06HR Kodenshi Corporation
Photo Transistor,
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对比 TD101F14KSC-A Eupec Gmbh & Co Kg
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,
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对比 TD111F04KDC Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 200A I(T)RMS, 101000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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对比 KTD1898 Luguang Electronic Technology
双极型晶体管, 80V, 1A, 100MHZ, -55-150℃
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对比 SBTD10150VCT Galaxy Microelectronics
10A,150V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Dual,Common Cathode, 150V, 10A, 0.79V, 5A, 150A
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对比 TSBTD10100CT Galaxy Microelectronics
10A,100V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Dual,Common Cathode, 100V, 10A, 0.7V, 5A, 150A
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对比 SBTD10300S Galaxy Microelectronics
10A,300V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Single, 300V, 10A, 0.92V, 10A, 180A
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对比 SBTD10150CT Galaxy Microelectronics
10A,150V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Dual,Common Cathode, 150V, 10A, 0.86V, 5A, 150A
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对比 SBTD10100VCT Galaxy Microelectronics
10A,100V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Dual,Common Cathode, 100V, 10A, 0.62V, 5A, 150A
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对比 SBTD1045CT Galaxy Microelectronics
10A,45V,Schottky Barrier Rectifiers, Diodes, Dual,Common Cathode, 45V, 10A, 0.48V, 5A, 150A
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对比 STD15NF10T4 Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;23A;100VV;TO-252
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对比 STD11NM50N Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;8.5A;500V;DPAK/TO-252
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对比 STD14NM50N Inchange Semiconductor Company Ltd
MOSFETs;12A;500V;DPAK/TO-252
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