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对比	型号	厂商	描述	价格
对比	S-LBSS138LT3G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE PACKAGE-3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	LBSS138LT3G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE PACKAGE-3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
AD	BTA410Y-600ET,127	WEN	晶体闸流管/双向可控硅，WeEn - BTA410Y-600ET - 3 Quadrant TRIAC - TO-220AB 数据手册立即购买了解更多		数据手册立即购买了解更多
对比	L1SS400T1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:A, VR (V):100, IF (mA):200, VF Max(V):1.2, VF IF(mA):100	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	LBAS316T1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:Z9, VR (V):75, IF (mA):250, VF Max(V):0.715, VF IF(mA):1	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	LBA277T1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:1, VR (V):35, IF (mA):100, VF Max(V):1, VF IF(mA):10	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L1N4148WT1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:T4, VR (V):75, IF (mA):200, VF Max(V):1.25, VF IF(mA):150	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L1N4148FT1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:T4, VR (V):75, IF (mA):150, VF Max(V):1.25, VF IF(mA):150	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L1SS356T1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:B, VR (V):35, IF (mA):100, VF Max(V):1, VF IF(mA):10	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L1SS400CST5G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:3, VR (V):80, IF (mA):100, VF Max(V):1.2, VF IF(mA):100	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L1SS400BST5G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:3, VR (V):80, IF (mA):100, VF Max(V):1.2, VF IF(mA):100	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	LMDL914T1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:5D, VR (V):100, IF (mA):200, VF Max(V):1, VF IF(mA):10	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	LBAV3004T1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:34W, VR (V):240, IF (mA):200, VF Max(V):1, VF IF(mA):100	获取价格 -	请求模型数据手册替代料

BSS138LT3G

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