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对比	型号	厂商	描述	价格
对比	BZW04P145	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 145V; VBR Min (V): 161V; VBR Max (V): 187V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 234V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P17	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 17.1V; VBR Min (V): 19V; VBR Max (V): 22V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 27.7V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
AD	1SS83TD-E	Renesas	整流器/肖特基二极管,1SS82 - Rectifier Diode, 0.2A 数据手册立即购买了解更多		数据手册立即购买
对比	BZW04P48	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 47.8V; VBR Min (V): 53.2V; VBR Max (V): 61.6V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 77V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-37	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 36.8V; VBR Min (V): 40.9V; VBR Max (V): 45.2V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 59.3V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P299B	Galaxy Microelectronics	Trans Voltage Suppressor Diode, 299V V(RWM), Bidirectional,	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P188B	Galaxy Microelectronics	Trans Voltage Suppressor Diode, 188V V(RWM), Bidirectional,	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-213	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 213V; VBR Min (V): 237V; VBR Max (V): 263V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 344V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P33	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 33.3V; VBR Min (V): 37.1V; VBR Max (V): 42.9V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 53.9V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P19B	Galaxy Microelectronics	Trans Voltage Suppressor Diode, 18.8V V(RWM), Bidirectional,	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P78	Galaxy Microelectronics	Surface Mount TVS Diode; Direction: Single; PPK Max (W): 400W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 78V; VBR Min (V): 86.5V; VBR Max (V): 100V; IR Max (uA): 1uA; VC Max (V): 125V; Package: DO-41	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-7V0	Galaxy Microelectronics	7.02V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 7.02V, 7.79V, 8.61V, 200uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P13	Galaxy Microelectronics	12.8V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 12.8V, 14.3V, 16.5V, 5uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-13	Galaxy Microelectronics	12.8V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 12.8V, 14.3V, 15.8V, 5uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-7V8	Galaxy Microelectronics	7.78V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 7.78V, 8.65V, 9.55V, 50uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-9V4	Galaxy Microelectronics	9.4V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 9.4V, 10.5V, 11.6V, 5uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P10	Galaxy Microelectronics	10.2V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 10.2V, 11.4V, 13.2V, 5uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-10	Galaxy Microelectronics	10.2V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 10.2V, 11.4V, 12.6V, 5uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04P6V4	Galaxy Microelectronics	6.4V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 6.4V, 7.13V, 8.25V, 500uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-19	Galaxy Microelectronics	18.8V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 18.8V, 20.9V, 23.1V, 1uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	BZW04-58	Galaxy Microelectronics	58.1V,400W, TVS, Diodes, 10×1000us, 400W, 58.1V, 64.6V, 71.4V, 1uA	获取价格 -	请求模型数据手册替代料

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