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对比 IRL8113STRRPBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor,
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对比 IRL5NJ7404PBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD0.5, 3 PIN
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AD IRL530NSTRLPBF Arrow
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
对比 IRLIZ34N-029PBF Infineon Technologies AG
20A, 55V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRL3705N-019 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL3502-006PBF Infineon Technologies AG
110A, 20V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRLIZ34N-024PBF Infineon Technologies AG
20A, 55V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRLI520N-009 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRL3202-018PBF Infineon Technologies AG
48A, 20V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL2910-010 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL40S212TRR Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor,
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对比 IRLI2203N-110PBF Infineon Technologies AG
68A, 30V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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对比 IRL2703-006 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL3102-013 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 20V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL3202-019PBF Infineon Technologies AG
48A, 20V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL540N-029PBF Infineon Technologies AG
30A, 100V, 0.044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL540-015PBF Infineon Technologies AG
28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRLIZ34N-030PBF Infineon Technologies AG
20A, 55V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRL3102-015PBF Infineon Technologies AG
61A, 20V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL6903PBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
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对比 IRL510-007 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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