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” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 XE162FN40F80LAAFXQSA1 Infineon Technologies AG
Microcontroller, 16-Bit, FLASH, 80MHz, CMOS, PQFP64, LQFP-64
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对比 D121N20BHOSA1 Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 230A, 2000V V(RRM), Silicon,
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AD RA4E1 Renesas
100MHz Arm® Cortex®-M33 MCU with Balanced Low Power Consumption & Optimized Feature Integration, 256kB - 512kB Flash/128kB SRAM
对比 SGP30N60HKSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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对比 IPP052N06L3GHKSA1 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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对比 FD800R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor,
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对比 FD800R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
获取价格 ¥14043.5003 ECAD2
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对比 BSP300L6327HUSA1 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 800V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
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对比 DZ435N40KHOSA1 Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 700A, 4000V V(RRM), Silicon, MODULE-2
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对比 FZ1200R17HE4NPSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor
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对比 DD106N22KHOSA1 Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 115A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
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对比 DD600N16KAHPSA1 Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
获取价格 ¥1953.8357 ECAD2
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对比 FF900R12IP4BOSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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对比 38DN06ELEMHOSA1 Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5095A, 600V V(RRM), Silicon,
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对比 BG5412KH6327XTSA1 Infineon Technologies AG
RF Small Signal Field-Effect Transistor
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对比 TT251N14KOFHOSA1 Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, MODULE-7
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对比 T1851N70TOHHOSA1 Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 3940A I(T)RMS, 7000V V(DRM), 7000V V(RRM), 1 Element
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对比 IDC06S60CEX1SA1 Infineon Technologies AG
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, 1.45 X 1.354 MM, DIE-2
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对比 IKP01N120H2XKSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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对比 T1049N18TOFHOSA1 Infineon Technologies AG
Silicon Controlled Rectifier, 1870A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
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对比 FF600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies AG
Insulated Gate Bipolar Transistor, 975A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
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