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” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 IRG4BC30KD-STRL International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
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对比 IRGBC30MD2-STRR International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN
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AD FQD13N10LTM Arrow
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
对比 IRFIBC30G-018 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRG4BC30K-S International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
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对比 IRFBC30-019 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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对比 IRG4BC30SPBF International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
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对比 IRG4BC30K-STRL International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
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对比 IRFBC32-010PBF International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3
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对比 IRFIBC30G-005 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRFBC30-007 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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对比 IRFBC32-011 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRFIBC30G-003 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRGBC30K-S International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
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对比 IRFBC30-005 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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对比 IRFIBC30G-004 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRGBC30M International Rectifier
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
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对比 IRFBC32-002 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRFIBC30G-031 International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRFIBC30G-005PBF International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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