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” 的搜索结果(共 146 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 IRLM220A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA, SOT-223, 4 PIN
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对比 IRLS530 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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AD IRLL014NTRPBF Arrow
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
对比 IRLU130A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRLS630A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN
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对比 IRLSZ14A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRLU110A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRLR210A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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对比 IRLR224 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
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对比 IRLW630A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRL630 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRLS510A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRLWZ44A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
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对比 IRLU224 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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对比 IRL611 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRLU121 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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对比 IRLR220A Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRLS620 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRL541 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 80V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRLZ20 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRLS630 Samsung Semiconductor
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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