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对比	FPD3000	Qorvo	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	FPD3000	RF Micro Devices Inc	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
AD	PMPB27EP,115	Nexperia	MOSFET/FET,30 V, single P-channel Trench MOSFET 数据手册立即购买了解更多		数据手册立即购买
对比	FPD3000	Filtronic Compound Semiconductor	Transistor	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
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对比	FPD3000SOT89ESQ	RF Micro Devices Inc	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	FPD3000SOT89CESB	RF Micro Devices Inc	RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	FPD3000SOT89ESR	RF Micro Devices Inc	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
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对比	FPD3000SOT89	RF Micro Devices Inc	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, SOT-89, 3 PIN	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	FPD3000-000S3	RF Micro Devices Inc	RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel	获取价格 -	请求模型数据手册替代料

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