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对比 型号 厂商 描述 均价 ECAD 数据手册 替代料
对比 JAN2N539A GPD Optoelectronics Corp
Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium
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对比 JAN2N539A Defense Supply Center Columbus
TRANSISTOR 55 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
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650V 72mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET 通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率
对比 JAN2N539A Defense Logistics Agency
Power Bipolar Transistor, 55V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium
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