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对比 TP65H050WS Transphorm Inc
Power Field-Effect Transistor,
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采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
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