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1DI200E-055
晶体管 > 功率双极晶体管

1DI200E-055

Fuji Electric Co Ltd
Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 11 Pin, M207, 11 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1541026489
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11
针数 11
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.45
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 200 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70
JESD-30 代码 R-PUFM-X11
元件数量 1
端子数量 11
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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