Wed May 29 2024 06:58:26 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
1DI200Z-100
晶体管 > 功率双极晶体管

1DI200Z-100

Fuji Electric Co Ltd
Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 1000V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M106, 4 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1502271009
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数 4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.46
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 200 A
集电极-发射极最大电压 1000 V
配置 DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 100
最大降落时间(tf) 2000 ns
JESD-30 代码 R-XUFM-X4
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 1400 W
最大功率耗散 (Abs) 1400 W
认证状态 Not Qualified
最大上升时间(tr) 2500 ns
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 14000 ns
最大开启时间(吨) 2500 ns
VCEsat-Max 2.8 V
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消