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1DI75E-120
晶体管 > 功率双极晶体管

1DI75E-120

Fuji Electric Co Ltd
Power Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1450162382
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 9.46
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 75 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70
JESD-30 代码 R-PUFM-X7
元件数量 1
端子数量 7
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 500 W
最大功率耗散 (Abs) 500 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 CHOPPER
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 18000 ns
最大开启时间(吨) 3000 ns
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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