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1MB05-120
晶体管 > IGBT

1MB05-120

Fuji Electric Co Ltd
Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.48
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1505049136
零件包装代码 TO-3P
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.48
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 9 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 1500 ns
标称接通时间 (ton) 1200 ns
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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