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1MB12-140
晶体管 > IGBT

1MB12-140

Fuji Electric Co Ltd
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PF, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥329.5519
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1502271083
零件包装代码 TO-3PF
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.45
Samacsys Manufacturer FUJI ELECTRIC
Samacsys Modified On 2024-04-27 10:49:21
YTEOL 0
其他特性 LOW SATURATION VOLTAGE, HIGH SWITCHING SPEED
最大集电极电流 (IC) 12 A
集电极-发射极最大电压 1400 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 1200 ns
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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