晶体管 > IGBT

1MBG05D-060

Fuji Electric Co Ltd

Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TPACK-3

数据手册:

下载: 1MBG05D-060

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.47

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 114 个替代料
Infineon Technologies AG 52 个替代料
Alpha & Omega Semiconductor 3 个替代料
IXYS Corporation 18 个替代料
International Rectifier 10 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 3 个替代料
Harris Semiconductor 8 个替代料
Advanced Power Technology 3 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
Samsung Semiconductor 2 个替代料
STMicroelectronics 6 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 8 个替代料

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