晶体管 > IGBT

1MBI200F-120

Fuji Electric Co Ltd

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M116, 5 PIN

数据手册:

下载: 1MBI200F-120

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.47

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 102 个替代料
Mitsubishi Electric 14 个替代料
SEMIKRON 11 个替代料
Infineon Technologies AG 7 个替代料
Fuji Electric Co Ltd 20 个替代料
Toshiba America Electronic Components 16 个替代料
Powerex Power Semiconductors 3 个替代料
Eupec Gmbh & Co Kg 3 个替代料
Dynex Semiconductor 1 个替代料
Siemens 2 个替代料
IXYS Corporation 3 个替代料
Nihon Inter Electronics Corporation 3 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 2 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 16 个替代料
Renesas Electronics Corporation 1 个替代料

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