晶体管 > IGBT

1MBI300-120

Fuji Electric Co Ltd

Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES

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下载: 1MBI300-120

ECAD 模型:

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-

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-

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风险等级:

8.46

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 25 个替代料
Powerex Power Semiconductors 19 个替代料
STMicroelectronics 2 个替代料
Infineon Technologies AG 1 个替代料
Motorola Semiconductor Products 1 个替代料
Fuji Electric Co Ltd 2 个替代料

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