晶体管 > IGBT

1MBI300JN120

Fuji Electric Co Ltd

Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,

数据手册:

下载: 1MBI300JN120

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.49

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 92 个替代料
SEMIKRON 18 个替代料
Infineon Technologies AG 10 个替代料
Fuji Electric Co Ltd 10 个替代料
Mitsubishi Electric 4 个替代料
IXYS Corporation 3 个替代料
Eupec Gmbh & Co Kg 4 个替代料
Nihon Inter Electronics Corporation 5 个替代料
Toshiba America Electronic Components 3 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 2 个替代料
Microsemi FPGA & SoC 30 个替代料
Powerex Power Semiconductors 2 个替代料
Vishay Intertechnologies 1 个替代料

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