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1MBI400VH-060L-50
晶体管 > IGBT

1MBI400VH-060L-50

Fuji Electric Co Ltd
Insulated Gate Bipolar Transistor,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8329239783
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.47
YTEOL 5.25
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 400 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 7.2 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7
元件数量 1
端子数量 7
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 610 ns
标称接通时间 (ton) 730 ns
VCEsat-Max 2.4 V
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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