二极管 > 变容二极管

1SV288

Toshiba America Electronic Components

DIODE 45 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-1E1A, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.8

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	1SV288
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1431397467
零件包装代码	SOD
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
风险等级	9.8
YTEOL	0
其他特性	2.5% MATCHED GROUP AVAILABLE, SMALL TRACKING ERROR
最小击穿电压	30 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	9.39%
最小二极管电容比	15
标称二极管电容	45.25 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	35 V
最大反向电流	0.01 µA
反向测试电压	28 V
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
变容二极管分类	ABRUPT