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2D256M42U3BA5
存储 > DRAM

2D256M42U3BA5

Vertical Circuits Inc
DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1691948668
零件包装代码 BGA
包装说明 LFBGA,
针数 63
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 9.49
YTEOL 0
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B63
JESD-609代码 e1
长度 12 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 63
字数 268435456 words
字数代码 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS
组织 256MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.35 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 10 mm
参数规格与技术文档
Vertical Circuits Inc
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