参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1379992115 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 6.8 |
其他特性 | RADIATION HARDENED |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |