2SA812AM6-T1B-AT

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2SA812AM6-T1B-AT

Renesas Electronics Corporation

TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346

数据手册:

下载: 2SA812AM6-T1B-AT

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.66

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 98 个替代料
onsemi 9 个替代料
Diodes Incorporated 3 个替代料
Micro Commercial Components 4 个替代料
Central Semiconductor Corp 25 个替代料
Infineon Technologies AG 6 个替代料
LRC Leshan Radio Co Ltd 7 个替代料
PanJit Semiconductor 1 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 16 个替代料
ROHM Semiconductor 1 个替代料
NXP Semiconductors 1 个替代料
Kuwait Semiconductor Co Ltd 2 个替代料
HSMC Corporation 1 个替代料
TDK Micronas GmbH 2 个替代料
Panasonic Electronic Components 1 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
Siemens 1 个替代料
Zetex / Diodes Inc 1 个替代料
Samsung Semiconductor 2 个替代料
STMicroelectronics 2 个替代料
Comchip Technology Corporation Ltd 1 个替代料
KEC 1 个替代料
Bytesonic Corporation 1 个替代料
Continental Device India Ltd 3 个替代料
Kodenshi Corporation 1 个替代料
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd 2 个替代料
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. 3 个替代料

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