参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1515168959 |
包装说明 | DIP, DIP32,.4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 9.83 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 25 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T32 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.01 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.14 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |